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2SB1625O

更新时间： 2024-11-21 20:21:47

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急速微 - ALLEGRO		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	25K
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

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2SB1625O 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	110 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1625O 数据手册

(70Ω)

Darlington 2 S B1 6 2 5

Equivalent circuit

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2494)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3P)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

2SB1625

Symbol

I^CBO

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

V^CB=–110V

2SB1625

Unit

µA

±0.2

5.5

±0.2

15.6

–110

–100max

–110min

5000min

–2.5max

–3.0max

–100typ

–110typ

±0.2

3.45

–110

IEBO

V^EB=–5V

–5

V(BR)CEO

hFE

I^C=–30mA

±0.2

ø3.3

–6

–1

V^CE=–4V, IC=–5A

I^C=–5A, IB=–5mA

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

60(Tc=25°C)

150

°C

MHz

1.75

2.15

0.8

COB

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

1.05

hFE Rank O(5000 12000), P(6500 20000), Y(15000 30000)

+0.2

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

1.5

4.4

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

R^L

I^C

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

ton

tstg

(Ω)

(A)

(µs)

(V)

(mA)

–30

–5

–10

–5

1.1typ

3.2typ

1.1typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–6

–4

–2

–3

–6

–5

–4

–3

–2

–1

–2

–5A

IC=–3A

–1

–2

–4

–6

–0.1

–0.5 –1

–5 –10

–50 –100

–1

–2

–3

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

^j-at Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

40,000

50000

125˚C

Typ

25˚C

10,000

5,000

10000

–30˚C

5000

1000

500

1,000

500

0.5

100

200

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.02 –0.05 –0.1

–0.5

–1

–5 –6

–0.2

–0.05 –0.1

–0.5

–1

–5 –6

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

–10

–5

120

100

Typ

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.1

Without Heatsink

3.5

–0.05

–5

–10

–50

–100 –150

0.02

0.05 0.1

0.5

5 6

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1625P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1625Y	ISC	获取价格	暂无描述
2SB1625Y	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1626	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)
2SB1626	ISC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1626	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1626	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1626_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1626_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistors
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