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2SB1412-Q-TP

更新时间： 2024-11-22 15:46:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 601K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SB1412-Q-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SB1412-Q-TP 数据手册

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2SB1412-P  
2SB1412-Q  
2SB1412-R  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Low Collector Saturation Voltage  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistors  
xꢀ Execllent current-to-gain characteristics  
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Marking: B1412  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
DPAK  
J
Maximum Ratings  
H
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
-30  
V
1
2
3
C
I
O
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-20  
-6.0  
-5.0  
V
V
A
F
4
E
PC  
Collector power dissipation  
1.0  
W
M
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
к
к
V
K
TSTG  
-55 to +150  
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
G
V(BR)CBO  
Collector-base Breakdown Voltage  
(IC=-50uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Emitter-base Breakdown Voltage  
(IE=-50uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-20Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=-0.5Adc, VCE=-2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-4Adc, IB=-100mAdc)  
-30  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-20  
-6  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Q
A
---  
-0.5  
-0.5  
uAdc  
uAdc  
L
IEBO  
---  
D
B
PIN 1. BASE  
PIN 2.4 COLLECTOR  
PIN 3. EMITTER  
hFE(1)  
VCE(sat)  
fT  
82  
---  
---  
390  
-1.0  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
---  
DIMENSIONS  
Transition Frequency  
120  
60  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MIN  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
NOTE  
(VCE=-6Vdc, IC=-500mAdc,f=30MHz)  
Collector output capacitance  
(VCB=-20Vdc, IE=0,f=1.0MHz)  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
Cob  
---  
---  
ꢀ
F
G
H
I
J
K
L
0.190  
0.114  
4.83  
2.90  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
6.20  
2.39  
10.40  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
0.055  
0.067  
1.40  
1.70  
Rank  
P
Q
R
M
0.063  
1.60  
1.10  
0.00  
5.35  
O
0.043  
0.051  
1.30  
Range  
82-180  
120-270  
180-390  
Q
V
0.000  
0.012  
0.30  
0.211  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision:  
D
2013/03/08  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1412R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR
2SB1412-R MCC

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 		PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SB1412RL-TN3-F-R UTC

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 		Transistor
2SB1412RTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-
2SB1412R-TN3-F-R UTC

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 		Transistor
2SB1412-R-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1412TL/P ROHM

获取价格

 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN
2SB1412TL/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1412TL/PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1412TL/Q ROHM

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 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN

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