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2SB1148AP

更新时间： 2024-09-30 23:20:03
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 58K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR

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2SB1148AP 数据手册

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Power Transistors  
2SB1148, 2SB1148A  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
7.0±0.3  
3.0±0.2  
3.5±0.2  
For low-voltage switching  
Complementary to 2SD1752 and 2SD1752A  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
1.1±0.1  
0.85±0.1  
0.4±0.1  
0.75±0.1  
●
High-speed switching  
●
I type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.3±0.2  
4.6±0.4  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–40  
Unit  
I Type Package  
Collector to  
2SB1148  
2SB1148A  
2SB1148  
VCBO  
V
Unit: mm  
base voltage  
Collector to  
–50  
7.0±0.3  
3.5±0.2  
2.0±0.2  
3.0±0.2  
0 to 0.15  
–20  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB1148A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–40  
VEBO  
ICP  
–7  
V
A
A
–20  
2.5  
IC  
–10  
0.75±0.1  
0.5 max.  
0.9±0.1  
Collector power TC=25°C  
15  
1.1±0.1  
0 to 0.15  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
1
2
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
2.3±0.2  
Tstg  
–55 to +150  
4.6±0.4  
I Type Package (Y)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
2SB1148  
VCB = –40V, IE = 0  
ICBO  
current  
2SB1148A  
VCB = –50V, IE = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
Collector to emitter 2SB1148  
voltage 2SB1148A  
–20  
–40  
45  
IC = –10mA, IB = 0  
VCE = –2V, IC = – 0.1A  
VCE = –2V, IC = –3A  
IC = –10A, IB = – 0.33A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
90  
260  
– 0.6  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
I
C = –10A, IB = – 0.33A  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
100  
400  
0.1  
0.5  
0.1  
MHz  
pF  
µs  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
IC = –3A, IB1 = – 0.1A, IB2 = 0.1A,  
VCC = –20V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
1
1234

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与2SB1148AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1148AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SB1148AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SB1148ATX PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1148P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SB1148Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SB1148R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SB1149 NEC

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 		Suitable for use to operate from IC without Predriver, such as hammer driver
2SB1149 ISC

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 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1149 SAVANTIC

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 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1149 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

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