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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.22 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1150-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1151 | NEC |
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Low Collector Saturation Voltage |
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| 2SB1151 | TGS |
获取价格 |
It is intented for use in power amplifier and switching applications. |
|
| 2SB1151 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1151 | UTC |
获取价格 |
LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT |
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| 2SB1151 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1151 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1151 | SECOS |
获取价格 |
PN P Plastic Encapsulated Transistor |
|
| 2SB1151 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin TO-126 |
|
| 2SB1151_10 | UTC |
获取价格 |
LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT |
|
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