5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1150K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB1150-K | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1150L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB1150-L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1150-L-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1150M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB1150-M | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1150-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1151 | NEC |
获取价格 |
Low Collector Saturation Voltage |
|
| 2SB1151 | TGS |
获取价格 |
It is intented for use in power amplifier and switching applications. |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
