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2SB1148Q

更新时间： 2024-01-04 10:15:54

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	58K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-221VAR

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2SB1148Q 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SB1148Q 数据手册

Power Transistors

2SB1148, 2SB1148A

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

For low-voltage switching

Complementary to 2SD1752 and 2SD1752A

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

0.75±0.1

●

High-speed switching

●

I type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.3±0.2

4.6±0.4

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Parameter

Symbol

Ratings

–40

Unit

I Type Package

Collector to

2SB1148

2SB1148A

2SB1148

V_CBO

Unit: mm

base voltage

Collector to

–50

7.0±0.3

3.5±0.2

2.0±0.2

3.0±0.2

0 to 0.15

–20

V_CEO

emitter voltage 2SB1148A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–40

V_EBO

I_CP

–7

–20

2.5

I_C

–10

0.75±0.1

0.5 max.

0.9±0.1

Collector power T_C=25°C

1.1±0.1

0 to 0.15

P_C

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

2.3±0.2

T_stg

–55 to +150

4.6±0.4

I Type Package (Y)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

2SB1148

V_CB= –40V, I_E= 0

I_CBO

current

2SB1148A

V_CB= –50V, I_E= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SB1148

voltage 2SB1148A

–20

–40

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –2V, I_C= – 0.1A

V_CE= –2V, I_C= –3A

I_C= –10A, I_B= – 0.33A

Forward current transfer ratio

h_FE2

260

– 0.6

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

_C= –10A, I_B= – 0.33A

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

100

400

0.1

0.5

0.1

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

I_C= –3A, I_B1= – 0.1A, I_B2= 0.1A,

V_CC= –20V

Storage time

µs

Fall time

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3 4

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与2SB1148Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1148R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-221VAR
2SB1149	NEC	获取价格	Suitable for use to operate from IC without Predriver, such as hammer driver
2SB1149	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1149	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1149	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1149_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1149_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1149-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1149K	ISC	获取价格	Transistor
2SB1149-K	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

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