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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1149-M-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1150 | NEC |
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PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2SB1150K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB1150-K | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1150L | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB1150-L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1150-L-AZ | RENESAS |
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3A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1150M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB1150-M | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1150-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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