2SB1149L

更新时间： 2024-02-06 11:52:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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Transistor

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2SB1149L 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1149L 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1149

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For use in operating from IC without

predriver ,such as hammer driver

PINNING(See Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

CONDITIONS

VALUE

-100

-8

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-3.0

I_CM

-5.0

T_a=25℃

T_C=25℃

1.3

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3

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