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2SB1132

更新时间： 2025-09-22 18:54:23

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南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
4页	416K
描述
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 1000; BVCBO(V) : 40; BVCEO(V) : 32; BVEBO(V) : 5; Min : 82; Max : 390; VCE (sat) (v) : 3; Package Outline : SOT-89;

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2SB1132 数据手册

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

PNP General Purpose Amplifier

2SB1132

FEATURES

Low V_CE(SAT)=-0.2V(Typ.)

(I_C/I_B=-500mA/-50mA).

Complementary NPN type available

2SD1664.

APPLICATIONS

This device is designed as a general purpose amplifier

and switching.

SOT-89

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SB1132

Marking

Package Code

SOT-89

BAP/BAQ/BAR

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-32

-5

Collector Current –DC

-Pulse

-1

-2

P_D

Total Device Dissipation

500

250

℃/W

℃

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55 to+150

www.dgnjdz.com

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