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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1122_11 | SANYO |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications |
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| 2SB1122_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1122-D | SANYO |
获取价格 |
Low-Frequency Power Amplifier Applications |
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| 2SB1122R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| 2SB1122-R | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1122S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| 2SB1122-S | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1122S-TD-E | SANYO |
获取价格 |
Low-Frequency Power Amplifier Applications |
|
| 2SB1122S-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
双极晶体管，-50V，-1A，低饱和压，PNP 单 PCP |
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| 2SB1122T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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