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2SB0819R

更新时间： 2024-01-20 11:07:13

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4页	73K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SC-71

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2SB0819R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0819R 数据手册

Transistor

2SB0819

P_C— Ta

I_C— V_CE

V_CE(sat)— I_C

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

–4.0

–3.5

–3.0

–2.5

–2.0

–1.5

–1.0

– 0.5

–100

I_C/I_B=10

Ta=25˚C

I_B=–40mA

Printed circut board: Copper

foil area of 1cm²or more, and

the board thickness of 1.7mm

for the collector portion.

–30

–10

–35mA

–30mA

–25mA

–20mA

–3

–1

Ta=75˚C

25˚C

–15mA

–10mA

– 0.3

– 0.1

–25˚C

–5mA

– 0.03

– 0.01

20 40 60 80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

(

)

(

)

( )

Collector current I_CA

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

f_T— I_E

–100

600

240

200

160

120

I_C/I_B=10

V_CE=–5V

V_CB=–5V

Ta=25˚C

–30

–10

500

400

300

200

100

–3

–1

25˚C

Ta=–25˚C

75˚C

Ta=75˚C

25˚C

– 0.3

– 0.1

–25˚C

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

100 300 1000 3000 10000

(

)

(

)

(

)

Collector current I_C

Emitter current I_EmA

C_ob— V_CB

V_CER— R_BE

I_CEO— Ta

150

120

–60

–50

–40

–30

–20

–10

1000

V_CE=–12V

Ta=25˚C

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

300

100

–1

–3

–10

–30

–100

0.001

0.01

0.1

100 120

(

)

(

)

(

)

Collector to base voltage V_CB

Base to emitter resistance R_BEkΩ

Ambient temperature Ta ˚C

123 4

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