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2SB0709AQ

更新时间： 2024-01-31 07:45:39

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4页	75K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB

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2SB0709AQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0709AQ 数据手册

Transistor

2SB0709A

NF — I_E

h Parameter — I_E

V_CB=–5V

R_g=50kΩ

Ta=25˚C

300

100

V_CB=–5V

f=1kHz

R_g=2kΩ

Ta=25˚C

h_fe

h_oe(µS)

f=100Hz

1kHz

10kHz

h_ie(kΩ)

V_CE=–5V

f=270Hz

Ta=25˚C

h_re(✕10^–4

)

0.1

0.01 0.03

0.1

0.3

0.1

0.3

(

)

(

)

(

)

Emitter current I_EmA

h Parameter — V_CE

300

100

I_E=2mA

f=270Hz

Ta=25˚C

h_fe

h_oe(µS)

h_re(✕10^–4

)

h_ie(kΩ)

–30

–1

–3

–10

–100

( )

Collector to emitter voltage V_CE

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与2SB0709AQ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0709AR	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB	获取价格
2SB0709ARL	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
2SB0709AS	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB	获取价格
2SB0710	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
2SB0710(2SB710)	ETC	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	获取价格
2SB0710/2SB0710A(2SB710/2SB710A)	ETC	2SB0710. 2SB0710A (2SB710. 2SB710A) - PNP Transistor	获取价格