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2SB0710AS

更新时间： 2024-02-01 18:00:58

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	67K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236

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2SB0710AS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0710AS 数据手册

Transistor

2SB0710, 2SB0710A (2SB710, 2SB710A)

Silicon PNP epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD0602 (2SD602) and 2SD0602A (2SD602A)

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

Features

Large collector current I_C.

0.65 0.15

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Parameter

2SB0710

Symbol

Ratings

–30

Unit

Collector to

V_CBO

base voltage

Collector to

2SB0710A

2SB0710

2SB0710A

–60

0.1 to 0.3

0.4 0.2

–25

V_CEO

emitter voltage

–50

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

–5

–1

1:Base

2:Emitter

3:Collector

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

Mini Type Package

– 0.5

200

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

(2SB0710)

Marking symbol : C

(2SB0710A)

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= –20V, I_E= 0

–0.1

µA

Collector to base

voltage

2SB0710

2SB0710A

–30

–60

–25

–50

–5

V_CBO

I_C= –10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SB0710

V_CEO

V_EBO

I_C= –10mA, I_B= 0

voltage

2SB0710A

Emitter to base voltage

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –10V, I_C= –150mA^*2

V_CE= –10V, I_C= –500mA^*2

I_C= –300mA, I_B= –30mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

340

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.35

– 0.6

–1.5

–1.1

200

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

85 ~ 170

120 ~ 240

170 ~ 340

2SB0710

Marking

Symbol

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show

conventional part number.

2SB0710A

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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