Datasheet > 2SB0745Q

2SB0745Q

更新时间： 2024-02-29 16:10:47

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0745Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0745Q 数据手册

Transistors

2SB0745, 2SB0745A (2SB745, 2SB745A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency and low-noise amplification

Unit: mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ Features

• Low noise voltage NV

• High forward current transfer ratio h_FE

• M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R 0.9

R 0.7

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.85)

0.55 0.1

0.45 0.05

Parameter

Symbol

Rating

−35

Unit

2SB0745

2SB0745A

2SB0745

2SB0745A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

−55

V_CEO

−35

Collector-emitter voltage

(Base open)

1: Base

(2.5) (2.5)

−55

2: Collector

3: Emitter

M-A1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−50

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−200

400

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−35

−55

−35

−55

−5

Typ

Max

Unit

2SB0745

2SB0745A

2SB0745

2SB0745A

V_CBO

I_C= −10 µA, I_E= 0

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CEO

I_C= −2 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

V_EBO

V_BE

I_CBO

I_CEO

h_FE

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CE= −1 V, I_C= −100 mA

V_CB= −10 V, I_E= 0

− 0.7

−1.0

− 0.1

−1

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

µA



V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −5 V, I_C= −2 mA

180

700

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

− 0.6

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Noise voltage

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

180 to 360

260 to 520

360 to 700

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2003

SJC00050BED

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SB0745Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0745R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1,
2SB0745S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1,
2SB0745T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71
2SB075030MLJL	SILAN	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
2SB075040AMLJL	SILAN	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
2SB075040ML	SILAN	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
2SB075060ML	SILAN	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
2SB0766	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB0766(2SB766)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅
2SB0766/2SB0766A(2SB766/2SB766A)	ETC	获取价格	2SB0766. 2SB0766A (2SB766. 2SB766A) - PNP Transistor

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0745Q

2SB0745Q 技术参数

2SB0745Q 数据手册

与2SB0745Q相关器件

与2SB0745Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0745Q

2SB0745Q 技术参数

2SB0745Q 数据手册

与2SB0745Q相关器件

与2SB0745Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？