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2SB0709AQ

更新时间： 2024-01-09 13:56:24

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4页	75K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB

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2SB0709AQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0709AQ 数据手册

Transistor

2SB0709A

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

240

200

160

120

–120

–100

–80

–60

–40

–20

–60

–50

–40

–30

–20

–10

Ta=25˚C

V_CE=–5V

Ta=25˚C

I_B=–300µA

–250µA

–200µA

–150µA

–100µA

–50µA

20 40 60 80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10 –12

–150

–300

–450

(

)

(

)

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BµA

I_B— V_BE

I_C— V_BE

V_CE(sat)— I_C

–400

–350

–300

–250

–200

–150

–100

–50

–240

–10

I_C/I_B=10

V_CE=–5V

Ta=25˚C

V_CE=–5V

–3

–1

25˚C

–200

–160

–120

–80

–40

Ta=75˚C

–25˚C

– 0.3

– 0.1

Ta=75˚C

–25˚C

25˚C

– 0.03

– 0.01

– 0.003

– 0.001

– 0.6

–1.2

–1.8

– 0.4 – 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

( )

(

)

(

)

Base to emitter voltage V_BE

Collector current I_CmA

h_FE— I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

600

500

400

300

200

100

160

140

120

100

V_CB=–10V

Ta=25˚C

V_CE=–10V

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0.1

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

0.3

100

–1

–3

–10

–30

–100

(

)

(

)

( )

Collector to base voltage V_CBV

Collector current I_CmA

Emitter current I_EmA

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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