トランジスタ
2SB0710 (2SB710), 2SB0710A (2SB710A)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
一般増幅用
+0.10
–0.05
0.40
2SD0602 (2SD602), 2SD0602A (2SD602A)とコンプリメンタリ
+0.10
–0.06
0.16
3
■ 特ꢀ長
•
•
コレクタ電流IC が大きい
ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピング,マ
ガジン包装による自動挿入が可能
1
2
(0.95) (0.95)
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
1.9 0.1
+0.20
2.90
–0.05
項目
記号
定格
−30
−60
−25
−50
−5
単位
10˚
2SB0710
2SB0710A
2SB0710
2SB0710A
VCBO
V
コレクタ・ベース間電圧
(E開放時)
VCEO
V
コレクタ・エミッタ間
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
電圧(B 開放時)
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO
V
A
EIAJ : SC-59
Mini3-G1 Package
コレクタ電流
尖頭コレクタ電流
コレクタ損失
合温度
IC
ICP
PC
Tj
− 0.5
−1
A
形名表示記号 :
• 2SB0710 : C
200
mW
接
150
°C
• 2SB0710A : D
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
項目
記号
条件
最小 標準 最大
単位
2SB0710
2SB0710A
2SB0710
2SB0710A
VCBO
VCEO
VEBO
IC = −10 µA, IE = 0
−30
−60
−25
−50
−5
V
コレクタ・ベース間電圧
(E開放時)
IC = −10 mA, IB = 0
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
IE = −10 µA, IC = 0
V
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
VCB = −20 V, IE = 0
− 0.1
µA
1
2
*
*
直
流電流増幅率
hFE1
VCE = −10 V, IC = −150 mA
85
340
hFE2
VCE = −10 V, IC = −500 mA
40
1
*
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat) IC = −300 mA, IB = −30 mA
VBE(sat) IC = −300 mA, IB = −30 mA
− 0.35 − 0.60
V
1
*
ベース・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
−1.1
200
6
−1.5
V
fT
VCB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz
MHz
pF
コレクタ出力容量(入力開放時)
Cob
15
注) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. 1 : パルス測定
*
2 : ランク分類
*
ランク
Q
85 ∼ 170
CQ
R
120 ∼ 240
CR
S
170 ∼ 340
CS
ノンランク品
hFE1
85 ∼ 340
2SB0710
2SB0710A
C
D
Marking
symbol
DQ
DR
DS
ノンランク品
注) 形名の( )内は,従来品番です
は,形名表示記号にランク表示はありません。
発行年月 : 2003年3月
SJC00048DJD
1