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2SB0643S

更新时间： 2024-02-22 12:19:27

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3页	67K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-71

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2SB0643S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0643S 数据手册

Transistor

2SB0643, 2SB0644

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

800

700

600

500

400

300

200

100

–800

–700

–600

–500

–400

–300

–200

–100

–800

–700

–600

–500

–400

–300

–200

–100

Ta=25˚C

V_CE=–10V

Ta=25˚C

I_B=–10mA

–9mA

–8mA

–7mA

–6mA

–5mA

–4mA

–3mA

–2mA

–1mA

20 40 60 80 100 120 140 160

–4

–8

–12

–16

–20

–2

–4

–6

–8

–10

(

)

( )

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

V_CE(sat)— I_C

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

–100

600

500

400

300

200

100

I_C/I_B=10

V_CE=–10V

–30

–10

–30

–10

–3

–1

–3

–1

25˚C

Ta=–25˚C

75˚C

Ta=75˚C

25˚C

Ta=75˚C

– 0.3

– 0.1

– 0.3

– 0.1

25˚C

–25˚C

– 0.03

– 0.01

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 –0.1 – 0.3

–1

–3

–10

(

)

( )

Collector current I_CA

Collector current I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

I_CEO— Ta

240

200

160

120

10⁴

10³

10²

V_CE=–10V

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

V_CB=–10V

Ta=25˚C

–1

100

–3

–10

–30

–100

120

160

200

(

)

( )

(

)

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

Ambient temperature Ta ˚C

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