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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA830T93B | ROHM |
获取价格 |
300mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
|
| 2SA831 | ETC |
获取价格 |
2SA790 2SA791 2SA830 2SA831 |
|
| 2SA832 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SA836 | TRSYS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulated Transistors |
|
| 2SA836 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
|
| 2SA836 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
|
| 2SA836 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (PNP) |
|
| 2SA836 | CJ |
获取价格 |
TO-92 |
|
| 2SA836C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAKVAR |
|
| 2SA836-C | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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