Datasheet > 2SA837

2SA837

更新时间： 2024-10-14 06:16:19

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA837 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA837

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Wide area of safe operation

·Complement to type 2SC1667

APPLICATIONS

·For radio frequency and power amplifier

applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-90

UNIT

Open emitter

Open base

-90

Open collector

-5

-4

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=75℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SA837相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA838	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SA838	FOSHAN	获取价格	TO-92
2SA838B	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SA839	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA839	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA839	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA839	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 20V 0.03A 3-Pin TO-92
2SA839O	ISC	获取价格	Transistor
2SA839Y	ISC	获取价格	Transistor
2SA841	ETC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR(PCT PROCESS)