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2SA836DRR

更新时间: 2024-02-15 06:34:56
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 164K
描述
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN

2SA836DRR 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.48最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:55 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA836DRR 数据手册

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2SA836  
Silicon PNP Epitaxial  
REJ03G0629-0200  
(Previous ADE-208-316)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency low noise amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A  
(Package name: TO-92 (1))  
1. Emitter  
Collector  
e  
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter vol
Emitter to base volta
Collector current  
mbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
–55  
Unit  
V
–55  
V
–5  
V
–100  
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
Emitter current  
IE  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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