2SA836DRR

更新时间： 2024-01-22 18:27:24

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瑞萨 - RENESAS		/
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6页	164K
描述
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN

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2SA836DRR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.48	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA836DRR 数据手册

2SA836

Main Characteristics

Maximum Collector Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

–10

–8

300

200

100

–6

–4

–10

–5 µA

–2

I_B= 0

100

150

–2

–4

–6

–8

–10

Ambient Temperature Ta (°C)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Typical Transfer Characteristics

–100 m

10,000

1,000

100

V_CE= –12 V

–50 m

V_CE= –12 V

–20 m

–10 m

–5 m

–2 m

–1 m

–500 µ

–200 µ

–100 µ

–50 µ

–20 µ

–10 µ

–0.2–0.4–0.6–0.8–1.0

–10 µ

–100 µ

–1 m

–10 m –50 m

Base to Emitter Voltage V_BE(V)

Collector Current I_C(A)

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

Contours of Constant Noise Figure (1)

100 k

f = 1 MHz

I_E= 0

50 k

f = 10 Hz

20 k

10 k

5 k

2 k

1 k

500

200

–1

–2

–5

–10 –20

–50

–0.01–0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2

–5 –10

Collector Current I_C(mA)

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5

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