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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA830STP/B | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, SPT, 3 PIN |
|
| 2SA830STPB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 32V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92VAR |
|
| 2SA830T93 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SA830T93/A | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SA830T93/B | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SA830T93B | ROHM |
获取价格 |
300mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
|
| 2SA831 | ETC |
获取价格 |
2SA790 2SA791 2SA830 2SA831 |
|
| 2SA832 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
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| 2SA836 | TRSYS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulated Transistors |
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| 2SA836 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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