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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA733-Q-BP-HF
2SA733-Q-BP-HF PDF预览

2SA733-Q-BP-HF

更新时间： 2024-11-26 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 445K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SA733-Q-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

2SA733-Q-BP-HF 数据手册

 浏览型号2SA733-Q-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
Micro Commercial Components  
2SA733-R  
2SA733-Q  
2SA733-P  
2SA733-K  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
TM  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
•
Capable of 0.25Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 0.1A  
PNP Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
Collector-base Voltage 60V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
•
•
•
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
TO-92  
A
E
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I C=1.0mAdc, IB=0)  
50  
60  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=5.0uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=50uAdc, IC=0)  
---  
Vdc  
C
Collector Cutoff Current  
(V CB=60Vdc, I =0)  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(V EB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
h FE  
DC Current Gain  
(I =1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
C
90  
200  
600  
---  
D
V CE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=100mAdc, IB=10mAdc)  
---  
0.18  
0.3  
Vdc  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(I C=10mAdc, VCE=6.0Vdc  
f=30MHz)  
100  
180  
---  
MHz  
E
B
C
G
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
B
Rank  
R
Q
P
K
C
Range  
90-180  
135-270  
200-400  
300-600  
D
E
G
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与2SA733-Q-BP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA733-Q-T92-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SA733-Q-T92-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA733R CDIL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SA733-R MCC

获取价格

 		PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
2SA733-R-A MCC

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 		Transistor
2SA733-R-AE3-5-R UTC

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 		Transistor
2SA733-R-AE3-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA733-R-AE3-R UTC

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 		LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SA733-R-AL3-B UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA733-R-AP MCC

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