2SA733-P-BP

更新时间： 2024-11-26 13:00:35

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	445K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA733-P-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SA733-P-BP 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

2SA733-R

2SA733-Q

2SA733-P

2SA733-K

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Capable of 0.25Watts of Power Dissipation.

Collector-current 0.1A

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Collector-base Voltage 60V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

•

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

TO-92

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I _C=1.0mAdc, I_B=0)

5.0

---

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I _C=5.0uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E=50uAdc, I_C=0)

---

Vdc

Collector Cutoff Current

(V _CB=60Vdc, I =0)

0.1

uAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V _EB=5.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h _FE

DC Current Gain

(I =1.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

200

600

---

V _CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C=100mAdc, I_B=10mAdc)

---

0.18

0.3

Vdc

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

(I _C=10mAdc, V_CE=6.0Vdc

f=30MHz)

100

180

---

MHz

DIMENSIONS

INCHES

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.010

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

CLASSIFICATION OF HFE (1)

.190

.590

.020

.160

.104

Rank

Range

90-180

135-270

200-400

300-600

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA733-P-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA733-P-T92-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA733Q	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SA733-Q	MCC	获取价格	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
2SA733-Q-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SA733-Q-AE3-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA733-Q-AE3-K	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA733-Q-AE3-R	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SA733-Q-AL3-5-R	UTC	获取价格	Transistor
2SA733-Q-AL3-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor

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