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2SA2184(TE16L1,NQ)

更新时间： 2024-02-25 00:59:41

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	259K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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2SA2184(TE16L1,NQ) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	550 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	27 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

2SA2184(TE16L1,NQ) 数据手册

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2SA2184

– V

P – Ta

1000

100

f = 1MH_Z

Tc = 25 °C

Ta=Tc

Infinite heat sink

_E= 0

-0.1

-1

-10

-100

-1000

100 120 140 160

(°C)

COLLECTOR-BASE VOLTAGE

(V)

AMBIENT TEMPERATURE

– t

Curves apply only to limited areas of thermal

resistance. (single nonrepetitive pulse)

Tc = 25 °C

0.1

0.001

0.01

0.1

PULSE WIDTH

(s)

SAFE OPERATING AREA

-10

-1

max (PULSE)*

10 ms* 1 ms*

100 μs*

max (CONTINUOUS)

100 ms*

-0.1

DC OPERATION

Tc = 25 °C

-0.01

*:Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C

Curves must be derated

linearly with increase in

temperature.

max

CEO

-0.001

-0.1

-1000

(V)

-1

-10

-100

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

2017-01-06

1 2 345

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与2SA2184(TE16L1,NQ)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2184(TE16L1,Q)	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,PNP,550V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252AA	获取价格
2SA2186	SANYO	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications	获取价格
2SA2186-AN	ONSEMI	Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single NMP	获取价格
2SA2188	ISAHAYA	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格
2SA2188E	ISAHAYA	Transistor	获取价格
2SA2188F	ISAHAYA	Transistor	获取价格