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2SA2083

更新时间： 2024-01-07 21:37:55

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2SA2083 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	400
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.13 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA2083 数据手册

2SA2083

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–55

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–55

–5

–100

130

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C*

150

Tstg

–55 to +150

*Value on the glass epoxy board (10 mm x 10 mm x 0.7 mm)

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit Test conditions

Collector to base breakdown

voltage

V_(BR)CBO

–55



I_C= –10 µA, I_E= 0

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

I_E= –10 µA, I_C= 0

Collector to emitter breakdown

voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

–55

–5



Emitter to base breakdown

voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

I_CBO



–0.5

800

µA



_CB= –30 V, I_E= 0

_EB= –2 V, I_C= 0

I_EBO

h_FE*¹



160



V_CE= –12 V, I_C= –2 mA

I_C= –10 mA, I_B= –1 mA

Collector to emitter saturation

voltage

V_CE(sat)

–0.5

Base to emitter voltage

V_BE



–0.75

V_CE= –12 V, I_C= –2 mA

Notes: 1. The 2SA2083 is grouped by h_FEas follows.

Grade

Mark

h_FE

160 to 320

250 to 500

400 to 800

Rev.0, Feb. 2002, page 2 of 6

123 4 5 6

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与2SA2083相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2083C	ETC	BJT	获取价格
2SA2083D	ETC	BJT	获取价格
2SA2083E	ETC	BJT	获取价格
2SA2084	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
2SA2084P	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59	获取价格
2SA2086S	ROHM	Medium power transistor (-30V, -1A)	获取价格