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2SA1963-2

更新时间： 2024-01-03 10:28:59
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安森美 - ONSEMI /
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5页 54K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB

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2SA1963-2 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.3 pF
集电极-发射极最大电压：8 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：5000 MHz

2SA1963-2 数据手册

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2SA1963  
S Parameters (Common Emitter)  
V
V
V
=5V, I =5mA, Z =50Ω  
CE  
C
O
S
S
S
S
22  
Freq (MHz)  
| S  
11  
|
| S  
|
| S  
|
| S  
|
22  
11  
21  
12  
21  
12  
100  
0.711  
0.628  
0.542  
0.513  
0.502  
0.504  
0.506  
0.509  
0.516  
0.527  
0.541  
–47.7  
–83.9  
–126.7  
–150.7  
–166.1  
–177.9  
172.3  
163.8  
155.3  
147.7  
140.6  
12.330  
9.680  
6.113  
4.337  
3.375  
2.772  
2.378  
2.069  
1.825  
1.645  
1.515  
149.2  
127.8  
104.1  
90.6  
80.7  
72.7  
65.5  
58.5  
52.1  
46.4  
41.3  
0.033  
0.052  
0.069  
0.080  
0.091  
0.104  
0.119  
0.136  
0.153  
0.173  
0.193  
68.0  
55.1  
47.5  
48.5  
52.0  
55.0  
57.6  
59.6  
61.1  
61.9  
62.2  
0.893  
0.740  
0.559  
0.479  
0.442  
0.424  
0.416  
0.409  
0.403  
0.403  
0.406  
–18.2  
–28.5  
–34.7  
–36.5  
–38.4  
–41.5  
–45.2  
–49.6  
–55.0  
–60.5  
–66.5  
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
=5V, I =10mA, Z =50Ω  
CE  
C
O
S
S
S
S
Freq (MHz)  
100  
| S  
11  
|
| S  
|
| S  
|
| S  
|
22  
11  
21  
12  
22  
21  
12  
0.547  
0.501  
0.479  
0.473  
0.473  
0.478  
0.486  
0.492  
0.502  
0.514  
0.526  
–70.6  
–112.1  
–148.5  
–166.7  
–178.8  
172.1  
163.7  
156.4  
149.2  
142.4  
135.6  
17.652  
12.156  
6.937  
4.783  
3.677  
3.005  
2.570  
2.228  
1.967  
1.765  
1.626  
139.1  
117.0  
97.2  
85.8  
77.6  
70.5  
63.7  
57.3  
51.4  
45.9  
42.1  
0.027  
0.040  
0.056  
0.071  
0.088  
0.107  
0.126  
0.147  
0.166  
0.188  
0.209  
64.1  
55.5  
55.7  
60.0  
63.2  
65.0  
65.6  
65.8  
65.5  
64.6  
63.6  
0.801  
0.610  
0.457  
0.398  
0.374  
0.366  
0.358  
0.353  
0.349  
0.348  
0.351  
–24.4  
–32.8  
–34.5  
–34.6  
–36.5  
–39.7  
–43.8  
–48.5  
–54.0  
–59.9  
–66.1  
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
=2V, I =3mA, Z =50Ω  
CE  
C
O
S
S
S
S
Freq (MHz)  
100  
| S  
11  
|
| S  
|
| S  
|
| S  
|
22  
11  
21  
12  
22  
21  
12  
0.788  
0.714  
0.626  
0.587  
0.577  
0.574  
0.577  
0.578  
0.587  
0.598  
0.608  
–42.7  
–77.5  
–120.3  
–145.9  
–162.3  
–174.9  
174.5  
165.4  
157.0  
149.0  
141.3  
8.469  
6.984  
4.613  
3.338  
2.612  
2.173  
1.872  
1.637  
1.447  
1.303  
1.203  
152.2  
131.1  
106.0  
90.6  
79.5  
70.6  
62.2  
54.5  
47.5  
41.6  
36.3  
0.045  
0.074  
0.099  
0.108  
0.114  
0.122  
0.131  
0.142  
0.155  
0.173  
0.194  
68.4  
53.9  
40.2  
36.9  
38.0  
40.9  
44.2  
47.9  
51.1  
53.7  
55.6  
0.913  
0.780  
0.586  
0.491  
0.443  
0.422  
0.410  
0.400  
0.398  
0.398  
0.403  
–17.6  
–29.2  
–38.9  
–42.9  
–46.0  
–50.2  
–54.7  
–59.8  
–65.9  
–72.0  
–78.8  
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
No.5230–4/5  
12345

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