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2SA1952TL/P

更新时间: 2024-02-04 05:39:19
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罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SA1952TL/P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.67外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA1952TL/P 数据手册

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2SA1952  
Transistors  
zElectrical characteristics curves  
90mA  
80mA  
10  
5  
1000  
500  
5  
4  
3  
2  
V
CE  
=
2V  
Tc  
=
25°C  
V
CE  
=
2V  
Pulsed  
Pulsed  
Ta=  
100°C  
25°C  
60mA  
2  
1  
200  
100  
50  
25°C  
50mA  
40mA  
0.5  
Ta=100°C  
25°C  
25°C  
30mA  
20mA  
0.2  
0.1  
20  
10  
5
0.05  
1  
10mA  
0.02  
0.01  
2
1
IB=0A  
0
0
1  
2  
3  
4  
5  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
0.01 0.02  
0.05 0.1 0.2 0.5 1  
2  
5  
10  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)  
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
Fig.1 Ground emitter output characteristics  
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics  
Fig.3 DC current gain vs. collector current  
1000  
10  
10000  
Ta  
=
25°C  
Ta  
=
25°C  
=1MHz  
=0  
IC/IB=20  
Pulsed  
V
CE= −10  
A
f
I
500  
5  
5000  
E
A
Ta= −25°C  
25°C  
100°C  
200  
100  
50  
2  
1  
2000  
1000  
500  
V
BE(sat)  
0.5  
0.2  
20  
10  
5
200  
100  
50  
0.1  
Ta=100°C  
0.05  
V
CE(sat)  
25°C  
0.02  
0.01  
2
1
20  
10  
25°C  
0.01 0.02  
0.05 0.1 0.2 0.5 1  
2  
5  
10  
0.001 0.002  
0.005 0.01 0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
0.1 0.2 0.5 1 2  
5 10 20  
50 100  
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
EMITTER CURRENT : I  
E
(A)  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)  
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Fig.5 Resistance ratio vs. emitter current  
Fig.6 Collector output capacitance  
vs. collector-base voltage  
vs. collector current  
10  
5
IE=20IB1= −20IB2  
t
stg  
2
1
t
on  
t
f
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.05 0.1 0.2 0.5 1 2  
5 10 20 50  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
Fig.7 Switching characteristics  
Rev.A  
2/2  

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