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2SA1890

更新时间： 2024-01-29 04:14:12

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科信 - KEXIN		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	35K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar

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2SA1890 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1890 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon PNP Epitaxial Planar

2SA1890

SOT-89

Unit: mm

+0.1

4.50

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

+0.1

1.80

-0.1

Features

Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

High collector-emitter voltage (Base open) VCEO

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

0.53

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

1. Base

+0.1

3.00

-0.1

2. Collector

3. Emiitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-50

Unit

-50

-5

Collector current

-50

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

IC = -10 ìA, IE = 0

Min

-80

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^CBO

h^FE

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

IC = -1 mA, IB = 0

IE = -10 ìA, IC = 0

VCB = -40 V, IE = 0

VCE = -2 V, IC = -100 mA

Collector-base cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

-0.1

340

-0.3

ìA

120

VCE(sat) IC = -500 mA, IB = -50 mA

V^BE(sat)IC = -500 mA, IB = -50 mA

-0.2

-0.85 -1.2

120

f^T

VCB = -10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

120 240

170 340

www.kexin.com.cn

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