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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1.3 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1897 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHIN |
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| 2SA1897-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126VAR |
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| 2SA1897K | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHIN |
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| 2SA1897-K | RENESAS |
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5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1897K-T-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126VAR |
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| 2SA1897L | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHIN |
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| 2SA1897L-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126VAR |
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| 2SA1897-L-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1897L-T-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126VAR |
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| 2SA1898 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Epitaxial Planar Silicon |
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