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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1835STPP | ROHM |
获取价格 |
200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1835STPQ | ROHM |
获取价格 |
200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1836 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SA1836-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1836M4 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| 2SA1836-M4 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1836-M4-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1836M5 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
|
| 2SA1836-M5-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA1836M6 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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