2SA1836

更新时间： 2024-11-15 22:52:39

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SA1836 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1836 数据手册

DATA SHEET

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

2SA1836

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The 2SA1836 is PNP silicon epitaxial transistor.

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

+0.1

–0.05

0.1

0.3 ± 0.05

FEATURES

• High DC current gain: h^FE2= 200 TYP.

• High voltage: V^CEO= −50 V

0 to 0.1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Collector to Base Voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

P^T

−60

−50

+0.1

0.2

–0

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

0.6

0.5

0.75 ± 0.05

−5.0

−100

−200

200

1.0

1.6 ± 0.1

Collector Current (DC)

°C

Collector Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

Junction Temperature

1: Emitter

2: Base

3: Collector

T^j

150

Storage Temperature Range

Notes 1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

T^stg

–55 to + 150 °C

2. When mounted on ceramic substrate of 3.0 cm²x 0.64 mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTICS

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I^CBO

TEST CONDITIONS

V^CB= −60 V, I^E= 0

MIN. TYP. MAX. UNIT

−100

−

Emitter Cut-off Current

I^EBO

V^EB= −5.0 V, I^C= 0

Note

DC Current Gain

h^FE1

V^CE= −6.0 V, I^C= −0.1 mA

V^CE= −6.0 V, I^C= −1.0 mA

I^C= −100 mA, I^B= −10 mA

V^CE= −6.0 V, I^E= 10 mA

V^CE= −6.0 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

h^FE2

200

600

−

Note

Base to Emitter Voltage

V^BE

−0.62

Note

Collector Saturation Voltage

V^CE(sat)

V^BE(sat)

f^T

−0.18 −0.3

−0.86 −1.0

180

Note

Base Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

MHz

C^ob

4.5

6.0

Note Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

h^FECLASSFICATION

Marking

h^FE2

300 to 600

90 to 180

135 to 270

200 to 400

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D15615EJ1V0DS00 (1st edition)

2001

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1836-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1836M4	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
2SA1836-M4	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1836-M4-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1836M5	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
2SA1836-M5-A	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1836M6	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
2SA1836-M6-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1836M6-T1-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
2SA1836M7	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416

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