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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1806GR
2SA1806GR PDF预览

2SA1806GR

更新时间： 2024-09-25 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SA1806GR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1500 MHz
Base Number Matches：1

2SA1806GR 数据手册

 浏览型号2SA1806GR的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SA1806  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For high speed switching  
Unit: mm  
1.6±0.15  
0.8±0.1  
0.4  
0.4  
Features  
High-speed switching.  
■
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
1
●
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment  
and automatic insertion through the tape packing and the maga-  
zine packing.  
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–15  
Unit  
V
0.2±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–15  
V
–4  
V
1:Base  
–100  
–50  
mA  
mA  
mW  
˚C  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–75  
SS–Mini Type Package  
IC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
125  
Marking symbol : AK  
Tj  
125  
Tstg  
–55 ~ +125  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
– 0.1  
– 0.1  
150  
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –8V, IE = 0  
EB = –3V, IC = 0  
V
µA  
*
hFE1  
hFE2  
VCE = –1V, IC = –10mA  
VCE = –1V, IC = –1mA  
50  
30  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
I
C = –10mA, IB = – 1mA  
– 0.1  
1500  
1
– 0.2  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCB = –10V, IE = 10mA, f = 200MHz  
VCB = –5V, IE = 0, f = 1MHz  
(Note 1) Next page  
800  
Cob  
ton  
toff  
tstg  
12  
ns  
Turn-off time  
(Note 1) Next page  
20  
ns  
Storage time  
(Note 1) Next page  
19  
ns  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
50 ~ 120  
AKQ  
90 ~ 150  
AKR  
Marking Symbol  
1
12

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与2SA1806GR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1806J ETC

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 		Small-signal device - Small-signal transistor
2SA1806JQ PANASONIC

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 		暂无描述
2SA1806JR PANASONIC

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2SA1806Q ETC

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2SA1806TX PANASONIC

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2SA1807 ROHM

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 		High-Voltage Switching Transistor (Telephone, Power Supply) (-600V, -1A)
2SA1807/N ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT, DPA
2SA1807/NP ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT, DPA
2SA1807/P ROHM

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