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2SA1797G-X-TN3-R

更新时间： 2022-09-16 17:06:01

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POWER TRANSISTOR

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2SA1797G-X-TN3-R 数据手册

2SA1797

PNP SILICON TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERISTICS

Grounded Emitter Propagation

Characteristics

Grounded Emitter Output

Characteristics

2.0

1.8

-10

-5

-2

-1

T_A=25°С

V_CE=2V

I_B=10mA

1.6

1.4

-0.5

1.2

-0.2

-0.1

-0.05

4mA

3mA

800m

-0.02

-0.01

-5m

600m

400m

2mA

1mA

200m

-2m

-1m

0 1

9 10

-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4

Base to Emitter Voltage, V_BE(V)

Collector to Emitter Voltage, V_CE(V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 4

QW-R208-029,F

www.unisonic.com.tw

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