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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1797T100Q
2SA1797T100Q PDF预览

2SA1797T100Q

更新时间： 2024-02-08 05:58:30
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 171K
描述
Power Transistor (−50V, −3A)

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2SA1797T100Q 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：7.21Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：2 W
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.35 V
Base Number Matches：1

2SA1797T100Q 数据手册

 浏览型号2SA1797T100Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1797T100Q的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistor (−50V, −3A)  
2SA1797  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) Low saturation voltage.  
MPT3  
VCE (sat) = −0.35V (Max.) at IC / IB = −1A / 50mA.  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Complements the 2SC4672.  
4.5  
1.6  
1.5  
(1)  
(2)  
(3)  
zPackaging specifications  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
Type  
2SA1797  
MPT3  
PQ  
1.5  
1.5  
(1)Base  
Package  
(2)Collector  
(3)Emitter  
hFE  
∗
Marking  
Code  
AG  
T100  
1000  
Basic ordering unit (pieces)  
∗Denotes hFE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−50  
−50  
−6  
V
V
V
∗
1
2
−3  
−6  
A (DC)  
Collector current  
I
C
A (Pulse)  
0.5  
∗
Collector power  
dissipation  
2SA1797  
P
C
W
2
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
Tstg  
150  
°C  
°C  
−55 to +150  
∗2 When mounted on a 40+ 40+ 0.7mm ceramic board.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
−50  
−50  
−6  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
C
=−50µA  
=−1mA  
BVCEO  
BVEBO  
I
I
C
V
E
=−50µA  
CB=−50V  
EB=−5V  
I
CBO  
−0.1  
−0.1  
−0.35  
270  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
∗
∗
∗
∗
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
−0.15  
−
I
C/I =−1A/−50mA  
B
h
FE1  
FE2  
82  
−
V
CE/I  
C
=−2V/−0.5A  
=−2V/−1.5A  
=0.5A, f=100MHz  
CB=−10V, I =0A, f=1MHz  
DC current transfer ratio  
h
45  
−
−
−
200  
−
−
−
−
MHz  
V
V
V
CE/I  
C
Transition frequency  
Output capacitance  
f
T
CE=−2V, I  
E
Cob  
36  
pF  
E
∗ Measured using pulse current  
www.rohm.com  
2009.04 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与2SA1797T100Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1797T101 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1797T101/P ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1797T101/PQ ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1797T101/Q ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1797T101P ROHM

获取价格

 		2000mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1797T101Q ROHM

获取价格

 		2000mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1797T200Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1797U SWST

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 		小信号晶体管
2SA1797-X-AA3-R ROHM

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 		POWER TRANSISTOR
2SA1797-X-AA3-R UTC

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 		POWER TRANSISTOR

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