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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 基于收集器的最大容量： | 5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1802 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1802(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SA1802(2-7B2A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SA1803 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1803 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1803 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1803 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1803O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SA1803-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SA1803-R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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