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2SA1804

更新时间： 2024-01-24 13:48:00

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	95K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1804 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	70 W
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2SA1804 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1804

DESCRIPTION

·With TO-3PFM package

·Complement to type 2SC4689

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 55W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING(See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

-8

I_CM

Collector current-peak

Base current

-16

I_B

-0.8

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4 5

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