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2SA1797T100

更新时间: 2024-02-20 07:31:25
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SA1797T100 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:7.21Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:2 W
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:0.35 V
Base Number Matches:1

2SA1797T100 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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2A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1797T101P ROHM

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2000mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR