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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1774EB-P
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2SA1774EB-P

更新时间： 2024-01-21 07:15:40
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, EMT3F, 3 PIN

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2SA1774EB-P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75A
包装说明：ROHS COMPLIANT, EMT3, SC-75A, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：0.99
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SA1774EB-P 数据手册

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2SA1774EB  
Transistors  
zElectrical characteristic curves  
−35.0  
−10  
−8  
−100  
−80  
−50  
Ta=25˚C  
Ta=25˚C  
V
CE= −6V  
−31.5  
−28.0  
−24.5  
−21.0  
−17.5  
−14.0  
−10.5  
−7.0  
Ta=100˚C  
25˚C  
−20  
−10  
−500  
−450  
−400  
−350  
−300  
−40˚C  
−5  
−250  
−200  
−6  
−4  
−2  
−60  
−40  
−20  
−2  
−1  
−150  
−100  
−0.5  
−50µA  
−3.5µA  
−0.2  
−0.1  
I
B=0  
IB=0  
0
−0.4  
−0.8  
−1.2  
−1.6 −2.0  
−0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4 −1.6  
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE  
0
−1  
−2  
−3  
−4  
−5  
V)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE  
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
(V)  
Fig.2 Grounded emitter output  
characteristics (I)  
Fig.1 Grounded emitter propagation  
characteristics  
Fig.3 Grounded emitter output  
characteristics (II)  
500  
−1  
500  
Ta=25˚C  
Ta=100˚C  
25˚C  
V
CE= −5V  
−3V  
−1V  
Ta=25˚C  
−0.5  
−40˚C  
200  
100  
50  
200  
100  
−0.2  
−0.1  
I
C/I  
B
=
50  
20  
10  
50  
−0.05  
V
CE= −6V  
−0.2 −0.5 −1 −2  
−5 −10 −20 −50 −100  
−0.2 −0.5 −1 −2  
−5 −10 −20 −50 −100  
mA)  
−0.2 −0.5 −1 −2  
−5 −10 −20 −50 −100  
mA)  
COLLECTOR CURRENT : I mA)  
C (  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(
Fig.5 DC current gain vs.  
collector current (II)  
Fig.4 DC current gain vs.  
collector current (I)  
Fig.6 Collector-emitter saturation  
voltage vs. collector current (I)  
1000  
500  
20  
−1  
Ta=25˚C  
CE= −12V  
Ta=25˚C  
f=1MHz  
lC/lB=10  
V
I
I
E
=
=
0A  
0A  
−0.5  
C
10  
5
200  
100  
−0.2  
−0.1  
Ta=100˚C  
25˚C  
−40˚C  
2
−0.05  
50  
−0.5 −1  
−2  
−5  
−10 −20  
0.5  
1
2
5
10 20  
50 100  
−0.2 −0.5 −1 −2  
−5 −10 −20 −50 −100  
mA)  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)  
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)  
EMITTER CURRENT : I (mA)  
E
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(
Fig.9 Collector output capacitance vs.  
collector-base voltage  
Fig.7 Collector-emitter saturation  
voltage vs. collector current (II)  
Fig.8 Gain bandwidth product vs.  
emitter current  
Emitter inputcapacitance vs.  
emitter-base voltage  
Rev.A  
3/3  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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