2SA1744

更新时间： 2024-11-20 22:52:35

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SA1744 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1744 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1744

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1744 is a power transistor developed for high-speed

switching and features a high h^FEat Low V^CE(sat). This transistor is

ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators.

In addition, a small resin-molded insulation type package

contributes to high-density mounting and reduction of mounting

cost.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

h^FE≥ 100 (V^CE= −2 V, I^C= −3 A)

V^CE(sat)≤ 0.3 V (I^C= −8 A, I^B= −0.4 A)

• Full-mold package that does not require an insulating board or

bushing

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

3. Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−100

−60

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

−7.0

V^EBO

−15

I^C(DC)

−30

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−7.5

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D13160EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1744-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SA1744-AZ	RENESAS	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1744K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-220VAR
2SA1744-K	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1744-K	RENESAS	获取价格	15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, FULL PACK-3
2SA1744-K-AZ	RENESAS	获取价格	15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, FULL PACK-3
2SA1744L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-220VAR
2SA1744-L	RENESAS	获取价格	15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, FULL PACK-3
2SA1744-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1744-L-AZ	RENESAS	获取价格	15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, FULL PACK-3

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