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2SA1746

更新时间： 2024-11-20 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Chopper Regulator, Switch and General Purpose)

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2SA1746 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.83Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：25 MHzBase Number Matches：1

2SA1746 数据手册

  
LOW VCE (s a t ) 2 S A1 7 4 6  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor  
Application : Chopper Regulator, Switch and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings  
■
Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
2SA1746  
2SA1746  
–10max  
–10max  
–50min  
50min  
Symbol  
Unit  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–70  
VCB=–70V  
V
–50  
IEBO  
VEB=–6V  
V
–6  
–12(Pulse–20)  
–4  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=–1V, IC=–5A  
IC=–5A, IB=–80mA  
IC=–5A, IB=–80mA  
VCE=–12V, IE=1A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
a
b
–0.5max  
–1.2max  
25typ  
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
MHz  
pF  
400typ  
Tstg  
COB  
to  
–55 +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
B
E
–20  
4
–5  
–10  
5
–80  
0.6typ  
0.3typ  
80  
0.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–1V)  
–12  
–12  
–10  
–8  
–1.5  
–12mA  
–10  
–70mA  
–1.0  
–0.5  
0
–8  
–6  
–4  
–2  
0
–50mA  
–6  
–4  
IC=–10A  
IB=–10mA  
–2  
0
–5A  
–3A  
–1A  
–10  
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
–3  
–100  
Base Current IB(mA)  
–1000  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–1V)  
(VCE=–1V)  
500  
500  
4
125˚C  
Typ  
1
0.5  
100  
50  
100  
50  
0.2  
–5  
–5  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000  
–0.03  
–0.1  
–0.5  
–1  
–10  
–0.03  
–0.1  
–0.5  
–1  
–10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
fT IE Characteristics (Typical)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
60  
40  
20  
40  
–30  
–10  
–5  
30  
20  
10  
Typ  
–1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
–0.3  
–3  
0
0.1  
–10  
–50  
–100  
1
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
32  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1746_07 SANKEN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1747 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
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2SA1748G PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C

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