2SA1668

更新时间： 2024-02-17 16:45:09

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1668 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220F, FM20, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.25	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1668 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1667

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -150V(Min)

·DC Current Gain-

: h_FE= 60(Min)@ (V_CE= -10V, I_C= -0.7A)

·Complement to Type 2SC4381

APPLICATIONS

·Designed for TV vertical output ,audio output driver and

general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-6

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-2

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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