2SA1673

更新时间： 2024-09-25 22:52:35

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管放大器局域网
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1页	28K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1673 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	TO-3PF, FM100, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.76	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1673 数据手册

2 S A1 6 7 3

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4388)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

2SA1673

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Unit

Symbol

Conditions

Unit

µA

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

–180

I^CBO

–10max

–180min

50min

V^CB=–180V

–180

IEBO

V^EB=–6V

–6

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

±0.2

ø3.3

V^CE=–4V, IC=–3A

I^C=–5A, IB=–0.5A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

–15

–4

–2.0max

20typ

VCE(sat)

MHz

85(Tc=25°C)

150

°C

1.75

2.15

0.8

500typ

COB

Tstg

–55 +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

+0.2

-0.1

1.05

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

ton

(µs)

VCC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

I^B2

(A)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

–1

0.6typ

–40

–10

0.9typ

0.2typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(V^CE=–4V)

–15

–10

– 3

–10

–5

–2

–1

–50mA

–5

IC=–10A

I^B=–20mA

–5A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

–1

–2

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(V^CE=–4V)

(VCE=–4V)

200

300

125˚C

25˚C

Typ

100

–30˚C

100

0.5

–0.02

0.1

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –15

–0.1

–0.5 –1

Collector Current I^C(A)

–5 –10 –15

100

Time t(ms)

1000 2000

Collector Current I^C(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–40

100

–10

–5

Typ

–2

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.2

–0.1

Without Heatsink

3.5

0.02

–3

–10

–100

–200

0.1

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1673_07	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1673O	ISC	获取价格	暂无描述
2SA1673O	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1673P	ISC	获取价格	Transistor
2SA1673P	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
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