是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.47 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 15 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 120 MHz | 最大关闭时间(toff): | 1800 ns |
最大开启时间(吨): | 300 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SA1649-ZM-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 | |
2SA1649-ZM-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 | |
2SA1649-ZM-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 | |
2SA1649-ZM-E2 | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 | |
2SA1649-ZM-T1 | RENESAS |
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2SA1649-ZM-T1 | |
2SA1649-ZM-T2 | RENESAS |
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2SA1649-ZM-T2 | |
2SA1649-Z-T2 | RENESAS |
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2SA1649-Z-T2 | |
2SA1650 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING | |
2SA1650-AZ | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, | |
2SA1650K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |