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2SA1416T-TD-E

更新时间: 2024-02-09 07:55:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 358K
描述
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

2SA1416T-TD-E 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.42
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzBase Number Matches:1

2SA1416T-TD-E 数据手册

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2SA1416 / 2SC3646  
Outline Drawing  
Land Pattern Example  
2SA1416S-TD-E, 2SA1416T-TD-E, 2SC3646S-TD-E, 2SC3646T-TD-E  
Mass (g) Unit  
Unit: mm  
0.058  
mm  
* For reference  
2.2  
45°  
45°  
1.0  
1.0  
1.5  
3.0  
No.2005-6/7  

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