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2SA1109

更新时间： 2024-01-30 10:28:33

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1109 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1109 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1109

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High transition frequency

APPLICATIONS

·For audio frequency amplifier and high

power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-180

-5

UNIT

Open base

Open collector

-10

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-14

P_C

T_C=25℃

200

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

12 3

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