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2SA1110

更新时间： 2024-02-05 14:23:25

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1110 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SA1110 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1110

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC2590

·Excellent current I_Ccharacteristics of forward

current transfer ratio h_FEvs. collector

·High transition frequency f_T

·Optimum for the driver stage of a 40w to

60w output amplifier

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-0.5

I_CM

-1.0

P_C

T_C=25℃

1.2*

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

Note) *: Without heat sink

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1110P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126
2SA1110Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126
2SA1110R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126
2SA1110S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126
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