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2SA1111

更新时间： 2024-09-26 06:19:51

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1111 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1111 2SA1112

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SC2591/2592

·Good linearity of h_FE

·High V_CEO

APPLICATIONS

·For audio frequency, high power

amplifiers application

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-150

-180

-150

-180

-5

UNIT

2SA1111

2SA1112

2SA1111

2SA1112

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-1

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-1.5

T_C=25℃

℃

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1111P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB
2SA1111Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB
2SA1111R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB
2SA1111S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB
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