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2SA1120

更新时间: 2024-01-16 01:02:42
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA1120 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-609代码:e0
最高工作温度:140 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):170 MHzBase Number Matches:1

2SA1120 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA1120  
DESCRIPTION  
·With TO-126 package  
·High transition frequency  
·Low collector saturation voltage  
APPLICATIONS  
·Audio power amplifier applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Emitter  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Base  
Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
Collector-base voltage  
-35  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open base  
-35  
Open collector  
-6  
-5  
IB  
Base current  
-1  
1.5  
Ta=25ꢀ  
TC=25ꢀ  
PD  
Total power dissipation  
W
5
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
Tstg  
-55+150  

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