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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 185 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1112S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1115 | ETC |
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2SA1115 |
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| 2SA1115-11-D | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1115-11-E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1115-11-F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1115-T11-D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1115-T11-E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1115-T11-G | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1116 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1116 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
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